Overview

Niniejsza książka koncentruje się na opracowaniu nowatorskiej struktury, która może byc stosowana w korporacjach do tworzenia urządzeń z dwiema naprężonymi warstwami Si w obszarze kanalu, tworząc trójwarstwową naprężoną heterostrukturę kanalu na izolatorze (HOI) nano-MOS, która może byc zaimplementowana w celu utworzenia NanoFET. Kanal heterostrukturalny oparty na NanoFET skladający się z podwójnie naprężonych warstw Si o zwiększonej mobilności, pomiędzy którymi znajduje się naprężony SiGe, znacznie zwiększa mobilnośc elektronów w porównaniu do konwencjonalnego urządzenia MOSFET z Si-Si na zrelaksowanym kanale SiGe, co prowadzi do poprawy wydajności urządzenia bez konieczności dodatkowego skalowania.

Full Product Details

9786209853197

Table of Contents

Reviews

Author Information

Tab Content 6

Countries Available