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OverviewEste livro centra-se no desenvolvimento de uma nova estrutura que pode ser incorporada para formar um dispositivo com duas camadas de Si deformadas na região do canal, formando um sistema nano-MOS de canal deformado de três camadas sobre isolador (HOI), que pode ser implementado para formar um NanoFET. O canal heteroestruturado baseado em NanoFET constituído por camadas duplas de Si deformadas enriquecidas em mobilidade, intercaladas com SiGe deformado, aumenta significativamente a mobilidade dos electrões em comparação com o dispositivo convencional de s-Si em MOSFET de canal SiGe relaxado, conduzindo a um melhor desempenho do dispositivo sem implementar qualquer escala adicional. Full Product DetailsAuthor: Lalthanpuii Khiangte , Rudra Sankar DharPublisher: Edicoes Nosso Conhecimento Imprint: Edicoes Nosso Conhecimento Dimensions: Width: 15.20cm , Height: 0.50cm , Length: 22.90cm Weight: 0.127kg ISBN: 9786209855757ISBN 10: 620985575 Pages: 88 Publication Date: 03 April 2026 Audience: General/trade , General Format: Paperback Publisher's Status: Active Availability: Available To Order We have confirmation that this item is in stock with the supplier. It will be ordered in for you and dispatched immediately. Language: Portuguese Table of ContentsReviewsAuthor InformationTab Content 6Author Website:Countries AvailableAll regions |
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