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Questo libro si concentra sullo sviluppo di una struttura innovativa che può essere utilizzata per formare un dispositivo con due strati di Si teso nella regione del canale, formando un sistema nano-MOS a canale teso a tre strati su isolante (HOI), che può essere implementato per formare un NanoFET. L'eterostruttura di canale basata su NanoFET, costituita da doppi strati di Si forzati arricchiti in mobilità e da un canale di SiGe forzato, migliora significativamente la mobilità degli elettroni rispetto al dispositivo convenzionale di MOSFET a canale di SiSi su SiGe rilassato, portando a un miglioramento delle prestazioni del dispositivo senza implementare alcuno scaling aggiuntivo.

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9786209850639

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