Overview

Mit dem rasch wachsenden Integrationsgrad mikroelektronischer Schaltungen steigt der mögliche Schaden durch hochenergetische Strahlung, insbesondere im Einsatzbereich von Luft- und Raumfahrttechnik, aber auch bei Kernreaktoren, in der Materialforschung und in der medizinischen Diagnostik und Therapie. Das Buch liefert eine fundierte Einführung, die von den physikalischen Grundlagen der Wechselwirkung von Strahlung mit Materie, über die Erklärung von Schädigungsmechanismen bis hin zur Beschreibung von Strahlungsempfindlichkeit reicht. Der starke Einfluß der verwendeten Technologie wird ebenso behandelt wie die Möglichkeit der Abschirmung und der Einfluß von Strukturverkleinerungen auf die Strahlensensibiltät.

Full Product Details

Author:   Dietrich Bräunig
Publisher:   Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Imprint:   Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K
Dimensions:   Width: 17.00cm , Height: 1.10cm , Length: 24.40cm
Weight:   0.375kg
ISBN:  

9783540508915

ISBN 10:   3540508910
Pages:   196
Publication Date:   07 August 1989
Audience:   Professional and scholarly ,  Professional & Vocational
Format:   Paperback
Publisher's Status:   Active
Availability:   Out of stock  
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Language:   German

Table of Contents

1 Einfuhrung.- 2 Wechselwirkung (WW) zwischen Strahlung und Materie.- 2.1 Vorbemerkungen.- 2.2 Photonen.- 2.2.1 Photoelektrischer Effekt.- 2.2.2 Compton-Effekt.- 2.2.3 Paar-Erzeugung.- 2.2.4 Totaler Massenschwachungskoeffizient.- 2.2.5 Mischstoffe.- 2.3 Elektronen.- 2.3.1 Vorbemerkungen.- 2.3.2 Stossgesetze.- 2.3.3 Coulomb-Wechselwirkung.- 2.3.4 Reichweite.- 2.4 Protonen und schwere Ionen.- 2.4.1 Vorbemerkungen.- 2.4.2 Bremsvermoegen.- 2.4.3 Reichweite.- 2.5 Neutronen.- 3 Schadigungsmechanismen im Silizium und Siliziumdioxid.- 3.1 Vorbemerkungen.- 3.2 Permanente Defekte im Silizium.- 3.3 Transiente Defekte im Silizium.- 3.4 Siliziumdioxid: Defekte im Volumen und an der Phasengrenze.- 4 Bauelementbezogene Schadigung.- 4.1 Vorbemerkungen.- 4.2 Permanente Schadigung in bipolaren und MOS Transistoren.- 4.3 Auswirkungen auf integrierte Schaltungen in Beispielen.- 4.3.1 Random access memories (RAM).- 4.3.2 Operations-Verstarker.- 4.3.3 Analog-Schalter.- 4.3.4 Multiplizierer.- 4.3.5 Digitale Integrierte Schaltkreise.- 4.4 Lokalisierte Schadigungsereignisse.- 4.4.1 Vorbemerkungen.- 4.4.2 Ladungs-Sammlung.- 4.4.3 Strahlung im Weltraum.- 4.4.4 Experimente zur Bestimmung der kritischen Ladung und des Einfangquerschnittes.- 4.4.5 Beispiele fur Upset-Mechanismen.- 4.5 Degradation, Hartung und Miniaturisierung.- 5 Bestrahlungstests und Schadigungsvorhersage.- 5.1 Vorbemerkungen.- 5.2 Bestrahlungsquellen.- 5.3 Abschirmung.- 5.4 Bestimmung der Funktionssicherheit.- 6 Literatur.- 7. Sachverzeichnis.

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