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Il libro è dedicato all'analisi sperimentale di un nuovo metodo di produzione di wafer di silicio a partire da materie prime in polvere, destinati all'uso come materiale di base per celle solari. In precedenza, la tecnologia a polvere per la produzione di wafer di silicio non era stata considerata come un metodo alternativo per ottenere wafer di base per celle solari e substrati per film. I wafer di silicio policristallino ottenuti mediante un metodo di stampaggio e formatura da polvere, nonché le strutture fotoelettriche con giunzione p-n formate su di essi, le caratteristiche elettrofisiche e fotoelettriche delle lastre e delle strutture e i processi di trasporto di carica al loro interno in caso di fotoeccitazione costituiscono l'oggetto principale della ricerca. Le caratteristiche elettrofisiche dei wafer studiati e le caratteristiche fotoelettriche delle strutture vengono misurate su banchi di prova standardizzati. Le impurità nella struttura nei punti di fusione e ai confini dei grani del poli-Si vengono determinate mediante lo spettroscopio Cameca. L'analisi teorica del processo di trasporto di carica nelle strutture in poli-Si verrà condotta secondo la ben nota teoria della fisica dei dispositivi a semiconduttori con giunzione p-n-j.

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9786209927485

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