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In dieser Arbeit wird eine poröse Siliziumschicht (PS) mit Nanostrukturen mittels (PEC) unter Verwendung einer 650-nm-Laserdiode bei unterschiedlichen Beleuchtungsleistungsdichten für ein n-Typ-Siliziumsubstrat mit einer spezifischen Widerstandsfähigkeit (10 Ω.cm) und HF von 48,5 % und Ethanol (99 %) (1:1) hergestellt. Die morphologischen, optischen und elektrischen Eigenschaften werden untersucht. Diese Eigenschaften werden unter Verwendung unseres mathematischen Modells untersucht, das die elektrischen Eigenschaften darstellt. Die elektrischen Eigenschaften der porösen Siliziumschicht werden entsprechend den Struktureigenschaften klassifiziert, und wir weisen nach, dass die elektrischen Eigenschaften von der relativen Permittivität abhängen, wie sie klassifiziert wurde. Bei niedriger Leistungsdichte zeigt sich die J-v-Charakteristik, die nicht gleichrichtend erscheint, und poröses Silizium verhält sich wie ein ohmscher Kontakt, bei hoher Laserleistungsdichte entsteht ein gleichrichtender Übergang, der sich wie ein ohmscher Kontakt verhält, und bei hoher Ätzzeit verhält er sich wie ein (Schottky-)Übergang, während er sich bei (200 mW/cm2) wie eine (Heteroübergangs-)Diode verhält.

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9786209304330

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