Overview

1. 1. Prinzipielle Wirkungsweise und Betriebsarten eines Raster-Elektron- mikroskopes (SEM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 . . 1. 2. Vergleich des Raster-Elektronenmikroskopes mit dem Lichtmikroskop und Transmissions-Elektronenmikroskop . . . . . . . . . . . . . 3 1. 3. Vergleich des Raster-Elektronenmikroskopes mit anderen Elektron- strahlgeraten . . . . . . . . . . . . . . 9 Literatur zu § 1 . . . . . . . . . . . . . . . 14 Monographien, Tagungsbande und Bibliographien 14 2. Wechselwirkung Elektron-Materie 2. 1. Einleitung 16 2. 2. Elektronenstreuung am Einzelatom 17 2. 2. 1. Elastische Streuung . . . . 17 2. 2. 2. Unelastische Streuung 18 2. 3. Streuung in einer durchstrahlbaren Schicht 21 2. 3. 1. Winkelverteilung gestreuter Elektronen 21 2. 3. 2. Transmission als Funktion der Beobachtungsapertur 23 2. 3. 3. Ortsverteilung gestreuter Elektronen . 24 2. 3. 4. Energieverteilung gestreuter Elektronen 25 2. 4. Elektronendiffusion in kompaktem Material 28 2. 4. 1. Transmission und Reichweite 28 2. 4. 2. Ausdehnung der Diffusionswolke . . 31 2. 4. 3. Ionisationsdichte und Tiefendosiskurve 33 2. 5. Ruckstreuung und Sekundarelektronen-Emission 34 2. 5. 1. Definition und Messung dieser GraBen . . 34 2. 5. 2. Ruckstreukoeffizient einer dunnen Schicht, Austrittstiefe 36 2. 5. 3. Ruckstreukoeffizient von kompaktem Material . . . . 37 2. 5. 4. Richtungs-und Energieverteilung ruckgestreuter Elektronen 40 2. 5. 5. Ausbeute, Energie und Austrittstiefe der Sekundarelektronen 41 2. 5. 6. Beitrag der ruckgestreuten Elektronen zur Sekundarelektron- ausbeute . . . . . . . . . . . . . . . 45 2. 5. 7. Rauschen der Sekundarelektronenemission . . . . . . . . . 45 VIII Inhalt 2. 6. Ausbreitung der Elektronen in Kristallen . . . . 47 2. 6. 1. Das Elektronenwellenfeld in einem Kristall 47 2. 6. 2. Beugung in Transmission . . . . . . . . 51 2. 6. 3. EinfluB der Beugung auf die Riickstreuung . 54 Literatur zu § 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . 56 3.

Full Product Details

Author:   L. Reimer ,  G. Pfefferkorn
Publisher:   Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Imprint:   Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K
Edition:   2., neubearb. u. erw. Aufl.
Dimensions:   Width: 17.00cm , Height: 1.60cm , Length: 24.40cm
Weight:   0.530kg
ISBN:  

9783540081548

ISBN 10:   3540081542
Pages:   284
Publication Date:   01 June 1977
Audience:   Professional and scholarly ,  Professional & Vocational
Format:   Paperback
Publisher's Status:   Active
Availability:   Out of stock  
The supplier is temporarily out of stock of this item. It will be ordered for you on backorder and shipped when it becomes available.
Language:   German

Table of Contents

1. Einleitung.- 1.1. Prinzipielle Wirkungsweise und Betriebsarten eines Raster-Elektronen-mikroskopes (SEM).- 1.2. Vergleich des Raster-Elektronenmikroskopes mit dem Lichtmikroskop und Transmissions-Elektronenmikroskop.- 1.3. Vergleich des Raster-Elektronenmikroskopes mit anderen Elektronen-Strahlgeraten.- Literatur zu 1.- Monographien, Tagungsbande und Bibliographien.- 2. Wechselwirkung Elektron-Materie.- 2.1. Einleitung.- 2.2. Elektronenstreuung am Einzelatom.- 2.2.1. Elastische Streuung.- 2.2.2. Unelastische Streuung.- 2.3. Streuung in einer durchstrahlbaren Schicht.- 2.3.1. Winkelverteilung gestreuter Elektronen.- 2.3.2. Transmission als Funktion der Beobachtungsapertur.- 2.3.3. Ortsverteilung gestreuter Elektronen.- 2.3.4. Energieverteilung gestreuter Elektronen.- 2.4. Elektronendiffusion in kompaktem Material.- 2.4.1. Transmission und Reichweite.- 2.4.2. Ausdehnung der Diffusionswolke.- 2.4.3. Ionisationsdichte und Tiefendosiskurve.- 2.5. Ruckstreuung und Sekundarelektronen-Emission.- 2.5.1. Definition und Messung dieser Groessen.- 2.5.2. Ruckstreukbeffizient einer dunnen Schicht, Austrittstiefe.- 2.5.3. Ruckstreukoeffizient von kompaktem Material.- 2.5.4. Richtungs- und Energieverteilung ruckgestreuter Elektronen.- 2.5.5. Ausbeute, Energie und Austrittstiefe der Sekundarelektronen.- 2.5.6. Beitrag der ruckgestreuten Elektronen zur Sekundarelektronenausbeute.- 2.5.7. Rauschen der Sekundarelektronenemission.- 2.6. Ausbreitung der Elektronen in Kristallen.- 2.6.1. Das Elektronenwellenfeld in einem Kristall.- 2.6.2. Beugung in Transmission.- 2.6.3. Einfluss der Beugung auf die Ruckstreuung.- Literatur zu 2.- 3. Elektronenoptik, Aufbau und Funktion des Raster-Elektronenmikroskopes.- 3.1. Elektronenoptische Grundlagen.- 3.1.1. Elektronenstrahlerzeugung.- 3.1.2. Elektronenlinsen.- 3.1.3. Linsenfehler.- 3.1.4. Kleinster Durchmesser der Elektronensonde.- 3.1.5. Optimale Elektronenenergie.- 3.2. Abrasterung und Fokussierung.- 3.2.1. Erzeugung des Rasters.- 3.2.2. Scharfentiefe.- 3.2.3. Fokussierung und Astigmatismuskorrektur.- 3.3. Objektveranderungen durch Elektronenbeschuss.- 3.3.1. Kontamination.- 3.3.2. Objekterwarmung.- 3.3.3. Strahlenschaden.- 3.3.4. Aufladungserscheinungen.- 3.3.5. Beeinflussung integrierter Schaltungen durch den Elektronenstrahl.- 3.4. Objektkammer und Detektoren.- 3.4.1. Objekthalterung und-manipulation.- 3.4.2. Direkte Elektronenstrommessung.- 3.4.3. Szintillator-Photomultiplier-Kombination.- 3.4.4. Kanal-Sekundarelektronenvervielfacher.- 3.4.5. Halbleiter-Detektoren.- 3.4.6. Einfluss der Proben-Detektor-Geometrie.- 3.5. Elektronik und Bildaufzeichnung.- 3.5.1. Elektronische Signalverarbeitung.- 3.5.2. Einfluss der Zeilenstruktur auf das Bild.- 3.5.3. Aufzeichnung dynamischer Vorgange.- 3.6. Spezielle Techniken der Raster-Elektronenmikroskopie.- 3.6.1. Spiegel-Raster-Elektronenmikroskopie.- 3.6.2. Mikrominiaturisierung mit einem Raster-Elektronenmikroskop.- Literatur zu 3.- 4. Abbildung mit Sekundar-, Ruckstreuelektronen und Probenstroemen.- 4.1. Oberflachentopographie.- 4.1.1. Kontrast durch Flachenneigung (Reliefkontrast).- 4.1.2. Kontrast durch Abschattung.- 4.1.3. Kontrast durch erhoehte Emission an Kanten und durchstrahlbaren Objektstrukturen.- 4.2. Materialkontrast.- 4.2.1. Kontrast durch Variation des Ruckstreukoeffizienten.- 4.2.2. Probenstrombild.- 4.3. Aufloesungsgrenze und Informationstiefe.- 4.3.1. Aufloesungsgrenze mit Sekundarelektronen.- 4.3.2. Abhangigkeit des Informationsvolumens von der Elektronenenergie.- 4.3.3. Verbesserung der Aufloesung mit Ruckstreuelektronen.- 4.4. Channelling-Diagramme und Kristallorientierungskontrast.- 4.4.1. Erzeugung der Channelling-Diagramme.- 4.4.2. Geometrie und Intensitat der Channelling-Diagramme.- 4.4.3. Anwendung von Channelling-Diagrammen.- 4.4.4. Kristallorientierungskontrast.- 4.5. Abbildung und Messung elektrischer Potentiale.- 4.5.1. Entstehung des Potentialkontrastes im Sekundarelektronenbild.- 4.5.2. Quantitative Potentialmessung.- 4.5.3. Potentialkontrast integrierter Halbleiterschaltungen.- 4.5.4. Stroboskopische Methoden.- 4.5.5. Potentialkontrast von piezoelektrischen und ferroelektrischen Kristallen.- 4.6. Abbildung und Messung magnetischer Objektfelder.- 4.6.1. Beeinflussung der Sekundarelektronen durch magnetische Streufelder (magnetischer Kontrast Typ I).- 4.6.2. Beeinflussung der Ruckstreuelektronen durch interne Magnetfelder (magnetischer Kontrast Typ II).- 4.6.3. Ablenkung der Primarelektronen in magnetischen Feldern.- 4.7. Abbildung mit internen Probenstroemen und elektromotorischen Kraften.- 4.7.1. Erzeugung und Trennung von Ladungstragern in Halbleitern.- 4.7.2. Abbildung von pn-UEbergangen.- 4.7.3. Abbildung von Kristallbaufehlern.- 4.7.4. Messung von Halbleiterkonstanten.- 4.7.5. Abbildung von Widerstandsinhomogenitaten.- Literatur zu 4.- 5. Raster-Transmissions-Elektronenmikroskopie.- 5.1. Spezielle Eigenschaften der Rastertransmission.- 5.1.1. Das Reziprozitatsprinzip.- 5.1.2. Vorteile des Rasterprinzips in der Transmission.- 5.2. Realisierung des Transmissionsbetriebes.- 5.2.1. Transmission in einem Raster-Elektronenmikroskop.- 5.2.2. Rasterzusatz in einem Transmissions-Elektronenmikroskop.- 5.2.3. Das Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop nach Crewe.- 5.2.4. Raster-Elektronenmikroskopie mit hohen Spannungen.- 5.3. Anwendung der Raster-Transmissions-Elektronenmikroskopie.- 5.3.1. Durchstrahlung dicker Objektschichten.- 5.3.2. Elektronenbeugung im Raster-Transmissionsbetrieb.- 5.3.3. Abbildung kristalliner Objekte.- Literatur zu 5.- 6. Elementanalyse und Abbildung mit emittierten Quanten und Augerelektronen.- 6.1. Grundlagen der Roentgenemission.- 6.1.1. Die Roentgenbremsstrahlung.- 6.1.2. Das Linienspektrum.- 6.1.3. Absorption der Roentgenstrahlung.- 6.2. Wellenlangen- und energiedispersive Roentgenanalyse.- 6.2.1. Wellenlangendispersive Methode mit Kristallmonochromator.- 6.2.2. Proportionalzahlrohr fur Wellenlangen- und energiedispersive Analyse.- 6.2.3. Si(Li)-Detektor fur energiedispersive Analyse.- 6.2.4. Vor- und Nachteile der weilenlangen- und energiedispersiven Methoden fur die Raster-Elektronenmikroskopie.- 6.3. Grundlagen der Roentgenmikroanalyse.- 6.3.1. Aufloesung und Tiefeninformation.- 6.3.2. Methoden der quantitativen Roentgenmikroanalyse.- 6.3.3. Begrenzung der Analyse durch die Zahlstatistik.- 6.4. Ausnutzung der Beugung und Absorption der Roentgenstrahlung.- 6.4.1. Kossel-Diagramme.- 6.4.2. Roentgenprojektionsmikroskopie.- 6.5. Andere Verfahren der Elementanalyse.- 6.5.1. Roentgenfluoreszenzanalyse im Rastermikroskop.- 6.5.2. Augerelektronen- (AES) und Sekundarionenmassenspektroskopie (SIMS).- 6.5.3. Energieverlustspektroskopie mit transmittierten Elektronen.- 6.6. Kathodolumineszenz.- 6.6.1. Entstehung der Kathodolumineszenz.- 6.6.2. Apparative Grundlagen der Kathodolumineszenz.- 6.6.3. Kathodolumineszenz von anorganischen Objekten und Halbleitern.- 6.6.4. Kathodolumineszenz organischer und biologischer Objekte.- Literatur zu 6.- 7. Auswertemethoden rasterelektronenmikroskopischer Aufnahmen.- 7.1. Ermittlung der dreidimensionalen Struktur.- 7.1.1. UEbersicht der Stereomethoden.- 7.1.2. Messung der Parameter und experimentelle Grenzen in Stereo-Bildpaaren.- 7.1.3. Visuelle Betrachtung von Stereo-Bildpaaren.- 7.2. Stereometrie.- 7.3. Optische Transformationen.- Literatur zu 7.- 8. Praparation.- 8.1. Einleitung.- 8.2. Praparatmontage und Oberflachenvorbereitung.- 8.2.1. Praparatmontage.- 8.2.2. Oberflachenvorbereitung.- 8.3. Stabilisierung der Objekte.- 8.3.1. UEbersicht der Methoden.- 8.3.2. Fixierung.- 8.3.3. Entwasserung und Lufttrocknung.- 8.3.4. Kritische-Punkt-Trocknung (CPD).- 8.3.5. Gefrierschock und Gefriertrocknung.- 8.3.6. Kuhltischmethode.- 8.4. Kleine Teilchen und durchstrahlbare Praparate.- 8.5. Abdruckverfahren.- 8.5.1. Oberflachenabdrucke.- 8.5.2. Injektionsabdrucke.- 8.6. Vermeidung von Aufladungen.- 8.6.1. Hochvakuumbedampfung.- 8.6.2. Kathodenzerstaubung.- 8.6.3. Antistatika.- 8.6.4. Behandlung mit OsO4.- 8.7. Erweiterung der Bildinformation.- 8.7.1. Schragbedampfung.- 8.7.2. Chemische Kontrastierung und histochemische Methoden.- 8.7.3. Trocken- und Gefrierbruch biologischer Objekte.- 8.7.4. Chemische AEtzung.- 8.7.5. Ionenatzung.- 8.7.6. Mechanische Deformation und Fraktographie.- 8.7.7. Praparate mit ebener Untersuchungsflache.- Literatur zu 8.

Reviews

Author Information

Tab Content 6

Author Website:  

Customer Reviews

Recent Reviews

No review item found!

Add your own review!

Countries Available

All regions