Overview

W niniejszej pracy metal i metaloid zostaly wytworzone na szklanym podlożu jako próbki cienkowarstwowe, a ich zachowanie elektryczne okazalo się podobne do cienkowarstwowego tranzystora polowego. Styki metalowe (Al/Cu) i kanal metaloidowy (Se) zostaly wykorzystane jako tranzystor polowy na szklanym podlożu poprzez osadzenie metalowych styków źródla, drenu i bramki górnej. Przeplyw nośników ze źródla do drenu może byc kontrolowany za pomocą metalowej bramki Schottky'ego. Prąd kanalu byl kontrolowany przez warstwę zubożoną o zmiennej szerokości poprzez styk metalowy, co modulowalo grubośc kanalu przewodzącego. Źródlo i dren struktury FET zostaly zdefiniowane przez warstwy metalu Al lub Cu, które byly kolejno osadzane na Se w określonych wzorach styków metodą odparowania termicznego przy użyciu jednostki powlekania próżniowego. Określono ich wlaściwości elektryczne. Urządzenie sluży do sterowania prądem między drenem a źródlem przy różnym potencjale między bramką a źródlem ($V_{GS}$), wywolując akumulację ladunku swobodnego na zlączu metal-pólprzewodnik. Cienkie warstwy selenku glinu zostaly wyżarzone w temperaturach 50°C i 100°C, co potwierdzono dyfrakcją rentgenowską i spektroskopią optyczną.

Full Product Details

9786209726248

Table of Contents

Reviews

Author Information

Tab Content 6

Countries Available