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Principes et utilisations de la nanophotonique: QWs, QWWs et QDs de matériaux nanostructurés optoélectroniques non linéaires et leurs conséquences photoélectriques extérieures: En utilisant une loi de dispersion des électrons récemment développée qui prend en compte les anisotropies des constantes d'orbite de spin, les électrons de masse effective et le contrôle de la division du champ cristallin dans le cadre du formalisme k.p, l'effet photoélectrique externe des puits quantiques, des fils de puits quantiques et des points quantiques de matériaux nanostructurés optiques et optoélectroniques non linéaires. En outre, l'effet photoélectrique externe a été calculé pour les matériaux II-VI et les matériaux optoélectroniques confinés (tels que les QWs, QWWs et QWs).Au moyen de réseaux Hg1-xCdxTe, CdGaAs2 et In1-xGaxAsyP1-y à confinement quantique appariés à CdS, InP et InSb sous contrainte, il a été découvert que l'effet photoélectrique externe présente des plateaux en fonction de l'énergie des photons incidents, ce qui est crucial d'un point de vue expérimental. Notre approche généralisée est spécialisée dans les résultats numériques des semi-conducteurs dégénérés III-V optoélectroniques à restriction quantique.

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9786209472763

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