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Das Buch widmet sich der experimentellen Untersuchung eines neuen Verfahrens zur Herstellung von Siliziumwafern aus pulverförmigen Rohstoffen, die als Ausgangsmaterial für Solarzellen vorgesehen sind. Bislang wurde die Pulvertechnologie zur Herstellung von Siliziumwafern nicht als alternatives Verfahren zur Gewinnung von Ausgangswafern für Solarzellen und Substraten für Dünnschichtzellen betrachtet. Im Mittelpunkt der Forschung stehen die durch Formung und Pressen aus Pulver hergestellten polykristallinen Siliziumwafer sowie die auf ihrer Basis gebildeten photoelektrischen Strukturen mit p-n-Übergang, die elektrophysikalischen und photoelektrischen Eigenschaften der Platten und Strukturen sowie die Ladungstransportprozesse in ihnen bei photoelektrischer Anregung. Die elektrophysikalischen Eigenschaften der untersuchten Wafer und die photoelektrischen Eigenschaften der Strukturen werden an standardisierten Prüfständen gemessen. Die Verunreinigungen in der Struktur an den Schmelzstellen und an den Korngrenzen des Poly-Si werden mit dem Spektroskop ""Cameca"" bestimmt. Die theoretische Analyse des Ladungstransportprozesses in den Poly-Si-Strukturen erfolgt im Rahmen der bekannten Theorie der Physik von Halbleiterbauelementen mit flachem p-n-Übergang.

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9786209919800

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