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Die fortschreitende Miniaturisierung von elektronischen Systemen geht einher mit der Forderung nach gesteigerter Leistungsf�higkeit und vielf�ltigerer Funktionalit�t. Dies erfordert von der Elektronikfertigung zunehmend die vertikale bzw. dreidimensionale Integration von Halbleiterbauelementen. Die Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen (engl. Through Silicon Vias, Abk�rzung: TSVs) zwischen den einzelnen Systemkomponenten ist dabei zentraler Bestandteil der Fertigung. In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle der TSV-Form durch Plasma�tzen entwickelt. Hierzu werden die oberfl�chenphysikalischen Vorg�nge bei der �tzung im Schwefelhexafluorid/Sauerstoff-Plasma modelliert und die Verteilung, der an der �tzung beteiligten Radikale und Ionen mittels Monte-Carlo-Simulation in TSVs unterschiedlicher Geometrie simuliert. Die lokale Verteilung der �tzraten im TSV erlaubt Vorhersagen �ber die Formentstehung w�hrend des �tzverlaufes. Das Modell wird durch �tzversuche verifiziert und erm�glicht die gezielte Kontrolle der TSV-Form in Abh�ngigkeit der Prozessparameter.

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9783839610565

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