Overview

W sektorze elektroniki zapotrzebowanie na doskonalenie technologiczne stale rośnie. Do tej pory najpopularniejszym materialem spelniającym obecne wymagania byl krzem. Jednakże krzem ma swój wlasny zestaw ograniczeń; krzemowe uklady scalone i skalowanie konstrukcji krzemowych MOSFET-ów stawiają czola takim problemom, jak efekt tunelowania, wplyw grubości tlenku bramki itd., co doprowadzilo do opracowania materialów alternatywnych. Rosnące zainteresowanie naukowców nanorurkami węglowymi (CNT) jako możliwym nowym typem materialu elektronicznego zaowocowalo znacznym postępem w fizyce CNT, w tym balistycznych i niebalistycznych wlaściwościach transportu elektronów. Transport o niskim odchyleniu w nanorurce może byc benearyczny balistyczny na odleglości kilkuset nanometrów. Dla niebalistycznych tranzystorów CNT stworzono rozszerzone modele na poziomie obwodu, które mogą wychwytywac zarówno balistyczne, jak i niebalistyczne zjawiska transportu elektronów, w tym efekty sprężystości, rozpraszania fononów, odksztalceń i tunelowania. W naszej sekcji wyników zbadaliśmy wplyw grubości tlenku bramki na dzialanie niebalistycznych CNTFET.

Full Product Details

9786209249587

Table of Contents

Reviews

Author Information

Tab Content 6

Countries Available