|
![]() |
|||
|
||||
OverviewFull Product DetailsAuthor: W. SchottkyPublisher: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG Imprint: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K Edition: 1956 ed. Volume: HP3 Dimensions: Width: 17.00cm , Height: 1.50cm , Length: 24.40cm Weight: 0.510kg ISBN: 9783662161111ISBN 10: 3662161117 Pages: 280 Publication Date: 23 August 2014 Audience: Professional and scholarly , Professional & Vocational Format: Paperback Publisher's Status: Active Availability: Manufactured on demand ![]() We will order this item for you from a manufactured on demand supplier. Language: German Table of ContentsBefreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.ReviewsAuthor InformationTab Content 6Author Website:Countries AvailableAll regions |