Overview

In dieser Arbeit wurden Metall und Metalloid auf einem Glassubstrat als Dünnschichtproben hergestellt, wobei ein elektrisches Verhalten festgestellt wurde, das dem eines Dünnschicht-Feldeffekttransistors ähnelt. Metallkontakte (Al/Cu) und ein Metalloid-Kanal (Se) wurden als Feldeffekttransistor auf dem Glassubstrat verwendet, indem Source-, Drain- und Top-Gate-Metallkontakte aufgebracht wurden. Der Trägerfluss von der Source zum Drain kann mit einem Schottky-Metall-Gate gesteuert werden. Der Kanalstrom wurde durch eine Verarmungsschicht variabler Breite über den Metallkontakt gesteuert, wodurch die Dicke des leitenden Kanals moduliert wurde. Source und Drain der FET-Struktur wurden durch Metallschichten aus Al oder Cu definiert, die nacheinander auf das Se in den definierten Kontaktmustern durch thermisches Verdampfen unter Verwendung einer Vakuum-Beschichtungsanlage aufgebracht wurden. Ihre elektrischen Eigenschaften wurden bestimmt. Das Gerät wird verwendet, um den Strom zwischen Drain und Source bei unterschiedlichem Potenzial zwischen Gate und Source ($V_{GS}$) zu steuern, wodurch eine freie Ladungsakkumulation am Metall-Halbleiter-Übergang induziert wird. Dünnschichten aus Aluminiumselenid wurden bei 50°C und 100°C getempert und anschließend durch Röntgenbeugung und optische Spektroskopie bestätigt.

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9786209719622

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