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OverviewDieses Buch befasst sich mit der Weiterentwicklung und Analyse von zylindrischen FETs mit verspanntem Kanal und zylindrischem Gate (CGAA - cylindrical gate-all-around). Die Studie untersucht ein Design im Nanomaßstab, das drei ultradünne verspannte Schichten enthält: zwei äußere Schichten aus verspanntem Silizium (s-Si) und eine mittlere Schicht aus verspanntem Silizium-Germanium (s-SiGe), die eine Heterostruktur auf einem Isolator (HOI) innerhalb des CGAA-FETs bilden. Diese verspannten Schichten im Kanal schränken Quantenladungsträger wirksam ein, wodurch die Ladungsträgerbeweglichkeit erhöht und der Schwellenspannungsabfall verringert wird. Full Product DetailsAuthor: Rasmita Barik , Rasmita DharaPublisher: Verlag Unser Wissen Imprint: Verlag Unser Wissen Dimensions: Width: 15.20cm , Height: 0.80cm , Length: 22.90cm Weight: 0.186kg ISBN: 9786209423840ISBN 10: 6209423841 Pages: 132 Publication Date: 13 January 2026 Audience: General/trade , General Format: Paperback Publisher's Status: Active Availability: Available To Order We have confirmation that this item is in stock with the supplier. It will be ordered in for you and dispatched immediately. Language: German Table of ContentsReviewsAuthor InformationTab Content 6Author Website:Countries AvailableAll regions |
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