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Dans ce travail, le métal et le métalloïde ont été fabriqués sur un substrat de verre sous forme d'échantillons en couches minces, et leur comportement électrique s'est avéré similaire à celui d'un transistor à effet de champ à couches minces. Des contacts métalliques (Al/Cu) et un canal métalloïde (Se) ont été utilisés comme transistor à effet de champ sur le substrat de verre en déposant les contacts métalliques de source, de drain et de grille supérieure. Le flux de porteurs de la source vers le drain peut être contrôlé par une grille métallique Schottky. Le courant du canal a été contrôlé par une couche de déplétion de largeur variable via le contact métallique, modulant ainsi l'épaisseur du canal conducteur. La source et le drain de la structure FET ont été définis par des couches métalliques d'Al ou de Cu déposées séquentiellement sur le Se selon des motifs de contact définis par évaporation thermique à l'aide d'une unité de revêtement sous vide. Leurs propriétés électriques ont été déterminées. Le dispositif est utilisé pour contrôler le courant entre le drain et la source à différents potentiels entre la grille et la source ($V_{GS}$), induisant une accumulation de charges libres à la jonction métal-semi-conducteur. Les couches minces de séléniure d'aluminium ont été recuites à 50°C et 100°C, confirmées ensuite par diffraction des rayons X et spectroscopie optique.

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9786209721434

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