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Neste trabalho, metal e metaloide foram fabricados sobre um substrato de vidro como amostras de filme fino e o seu comportamento elétrico revelou-se semelhante ao de um transístor de efeito de campo de filme fino. Contactos metálicos (Al/Cu) e um canal de metaloide (Se) foram utilizados como um transístor de efeito de campo no substrato de vidro através da deposição de contactos metálicos de fonte, dreno e porta superior. O fluxo de portadores da fonte para o dreno pode ser controlado com uma porta metálica Schottky. A corrente do canal foi controlada por uma camada de depleção de largura variável através do contacto metálico e a espessura do canal condutor foi modulada. A fonte e o dreno da estrutura FET foram definidos pelas camadas metálicas de Al ou Cu, depositadas sequencialmente sobre o Se nos padrões de contacto definidos por evaporação térmica, utilizando uma unidade de revestimento em vácuo. Foram determinadas as suas propriedades elétricas. O dispositivo é utilizado para controlar a corrente entre o dreno e a fonte a diferentes potenciais entre a porta e a fonte ($V_{GS}$), induzindo a acumulação de carga livre na junção metal-semicondutor. Filmes finos de selenieto de alumínio foram recozidos a 50°C e 100°C, confirmado posteriormente por Difração de Raios X e espetroscopia ótica.

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9786209739972

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