Overview

Aus den Besprechungen: ""Die Qualität dieses Werkes läßt es ... notwendig erscheinen, einiges mehr zu ihm zu sagen. Seine Stärke besteht nämlich darin, daß die Grundlagen immer von unterschiedlichen Gesichtspunkten aus behandelt werden. So wird das Bändermodell von den Eigenfunktionen wechselwirkender Atome, aus der Schrödinger-Gleichung und über die Pseudopotentialmethode anschaulich eingeführt. Bedeutsam ist, daß dies auf unterschiedlichem Niveau erfolgt. Dadurch werden die gegenseitige Bedingtheit und die Besonderheiten der Methoden noch deutlicher. Insgesamt werden auf diese Weise vier Kapitel behandelt: Bändermodell, gestörtes Gitter, Rekombination von Ladungsträger und Stromtransport. Ein umfangreiches Literaturverzeichnis und ein gutes Sachwortverzeichnis ergänzen das Werk. Allen denen, die tiefer in diese Problematik eindringen wollen, kann es nur empfohlen werden."" #Elektronische Informationstechnik und Kybernetik#

Full Product Details

Author:   Walter Heywang ,  Hans W. Pötzl
Publisher:   Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Imprint:   Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K
Edition:   2., überarb. u. erw. Aufl.
Volume:   3
Dimensions:   Width: 15.50cm , Height: 1.70cm , Length: 23.50cm
Weight:   0.525kg
ISBN:  

9783540533887

ISBN 10:   3540533885
Pages:   312
Publication Date:   05 August 1991
Audience:   Professional and scholarly ,  Professional & Vocational
Format:   Paperback
Publisher's Status:   Active
Availability:   Out of stock  
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Language:   German

Table of Contents

Bezeichnungen und Symbole.- 1 Das Bändermodell.- 1.1 Bändermodell und Atomeigenfunktionen.- 1.2 Schrödinger-Gleichung der Einelektronen-Näherung und Blochsches Theorem.- 1.3 Das eindimensionale Gitter.- 1.4 Das dreidimensionale Gitter.- 1.5 Gitter-Symmetrieeigenschaften.- 1.6 Bandstruktur spezieller Halbleiter.- 1.7 Anschauliche Interpretation der Leitungsbandstruktur.- 1.8 Pseudopotential methode.- 1.9 Optische Band-B and-Übergänge.- 1.10 Leitfähigkeit und Piezowiderstandseffekt.- 2 Das gestörte Gitter.- 2.1 Überblick über die Art der Gitterstörungen.- 2.2 Lokalisierte Terme.- 2.3 Wechselwirkung zwischen Störstellen.- 2.4 Hochdotierte Halbleiter.- 2.5 Amorphe Halbleiter.- 2.6 Bandstruktur in Kanälen.- 2.7 Halbleiteroberfläche.- 2.8 Bandstruktur bei Korngrenzen und Versetzungen.- 3 Rekombination.- 3.1 Das thermodynamische Gleichgewicht der Ladungsträger und seine Einstellung.- 3.2 Trägerlebensdauer und -diffusion.- 3.3 Band-Band-Rekombination.- 3.4 Kinetik der Termübergänge.- 3.5 Wechselwirkung mehrerer Termsysteme.- 3.6 Vergleich der Rekombinationsmechanismen.- 4 Stromtransport.- 4.1 Die Boltzmann-Gleichung.- 4.2 Gitterschwingungen.- 4.3 Wechselwirkung von Ladungsträgern mit Störstellen und Phononen (Streumechanismen).- 4.4 Beweglichkeit.- 4.5 Galvanomagnetische Erscheinungen.- 4.6 Heiße Elektronen.

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