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Diese Arbeit befasst sich mit der Untersuchung von Quantenfilm-Übergittern auf Basis von II/VI-Halbleitermaterialien (CdTe)n/(HgTe)n. Diese Heterostrukturen weisen interessante strukturelle und elektronische Eigenschaften auf.Die lineare Muffin-Tin-Orbital-Methode (FP-LMTO) basierend auf der Dichtefunktionaltheorie (DFT) wurde verwendet. DFT ist eine der Ab-initio-Methoden. Die Austausch- und Korrelationsenergien werden mithilfe der generalisierten Gradientennäherung (GGA) beschrieben. Die Struktureigenschaften von CdTe- und HgTe-Verbindungen sowie ihrer (CdTe)n/(HgTe)n-Übergitter wurden für Konfigurationen (n = 1 bis 2) in der Zinkblende-Phase berechnet. Zu den wichtigsten Ergebnissen zählt, dass der Parameter a2,2 doppelt so groß ist wie a1,1.Die berechneten Struktureigenschaften der CdTe- und HgTe-Verbindungen stimmen gut mit verfügbaren experimentellen und theoretischen Daten überein.Anhand der elektronischen Eigenschaften lässt sich feststellen, dass die Materialien CdTeet und HgTeet sowie deren Übergitter einen direkten Bandabstand aufweisen.

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9786209293061

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